|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2012, том 96, выпуск 7, страницы 519–522
(Mi jetpl3250)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Особенности магнетосопротивления монослойного графена
при рассеянии на короткодействующем потенциале
Г. Ю. Васильеваa, П. С. Алексеевa, Ю. Л. Ивановa, Ю. Б. Васильевa, Д. Смирновb, Х. Шмидтb, Р. Ж. Хаугb, Ф. Гойдерc, Г. Начтвейc a Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН
b Institut fur Festk\"{o}rperphysik, Universit\"{a}t Hannover
c Institut f\"{u}r Angewandte Physik, Technische Universitat Braunschweig
Аннотация:
Проведены измерения магнетосопротивления монослойного графена,
расположенного на подложке Si/SiO$_2$, при температурах $2.5$–$150$ К.
Обнаружено, что в области достаточно высоких температур вдали от точки Дирака
сопротивление зависит от магнитного поля как квадратный корень, что
согласуется с недавним теоретическим расчетом магнетосопротивления в случае
рассеяния носителей на дефектах с короткодействующим потенциалом.
Поступила в редакцию: 29.08.2012
Образец цитирования:
Г. Ю. Васильева, П. С. Алексеев, Ю. Л. Иванов, Ю. Б. Васильев, Д. Смирнов, Х. Шмидт, Р. Ж. Хауг, Ф. Гойдер, Г. Начтвей, “Особенности магнетосопротивления монослойного графена
при рассеянии на короткодействующем потенциале”, Письма в ЖЭТФ, 96:7 (2012), 519–522; JETP Letters, 96:7 (2012), 471–474
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl3250 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v96/i7/p519
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 206 | PDF полного текста: | 52 | Список литературы: | 36 | Первая страница: | 8 |
|