Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2012, том 96, выпуск 7, страницы 519–522 (Mi jetpl3250)  
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Особенности магнетосопротивления монослойного графена при рассеянии на короткодействующем потенциале

Г. Ю. Васильеваa, П. С. Алексеевa, Ю. Л. Ивановa, Ю. Б. Васильевa, Д. Смирновb, Х. Шмидтb, Р. Ж. Хаугb, Ф. Гойдерc, Г. Начтвейc

a Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН
b Institut fur Festk\"{o}rperphysik, Universit\"{a}t Hannover
c Institut f\"{u}r Angewandte Physik, Technische Universitat Braunschweig
PDF полного текста (414 kB) Список цитирования (7)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: Проведены измерения магнетосопротивления монослойного графена, расположенного на подложке Si/SiO$_2$, при температурах $2.5$–$150$ К. Обнаружено, что в области достаточно высоких температур вдали от точки Дирака сопротивление зависит от магнитного поля как квадратный корень, что согласуется с недавним теоретическим расчетом магнетосопротивления в случае рассеяния носителей на дефектах с короткодействующим потенциалом.
Поступила в редакцию: 29.08.2012
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2012, Volume 96, Issue 7, Pages 471–474
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364012190137
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Г. Ю. Васильева, П. С. Алексеев, Ю. Л. Иванов, Ю. Б. Васильев, Д. Смирнов, Х. Шмидт, Р. Ж. Хауг, Ф. Гойдер, Г. Начтвей, “Особенности магнетосопротивления монослойного графена при рассеянии на короткодействующем потенциале”, Письма в ЖЭТФ, 96:7 (2012), 519–522; JETP Letters, 96:7 (2012), 471–474
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VasAleIva12}
\by Г.~Ю.~Васильева, П.~С.~Алексеев, Ю.~Л.~Иванов, Ю.~Б.~Васильев, Д.~Смирнов, Х.~Шмидт, Р.~Ж.~Хауг, Ф.~Гойдер, Г.~Начтвей
\paper Особенности магнетосопротивления монослойного графена
при рассеянии на короткодействующем потенциале
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2012
\vol 96
\issue 7
\pages 519--522
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl3250}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=18087588}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2012
\vol 96
\issue 7
\pages 471--474
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364012190137}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000312879100011}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20488236}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84871339322}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl3250
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v96/i7/p519
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:206
    PDF полного текста:52
    Список литературы:36
    Первая страница:8
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024