Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2008, том 88, выпуск 12, страницы 939–943 (Mi jetpl323)  

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Тип второй подзоны размерного квантования дырок у поверхности Si(110): анизотропия спинового расщепления

С. И. Дорожкин

Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Московская обл., Россия
Список литературы:
Аннотация: Выполнены измерения магнетосопротивления для случаев заполнения одной и двух размерно-квантованных подзон дырок в кремниевых полевых транзисторах, созданных на поверхности Si (110). В обоих случаях обнаружена очень слабая чувствительность осцилляций Шубникова–де Гааза к компоненте магнитного поля, параллельной квазидвумерной системе. Этот результат указывает на то, что обе нижние подзоны размерного квантования образованы тяжелыми дырками. Для второй подзоны этот вывод расходится с широко принятой точкой зрения о том, что эта подзона в исследованной системе является основной подзоной легких дырок.
Поступила в редакцию: 11.11.2008
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2008, Volume 88, Issue 12, Pages 819–822
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364008240090
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 73.40.-c, 73.43.-f
Образец цитирования: С. И. Дорожкин, “Тип второй подзоны размерного квантования дырок у поверхности Si(110): анизотропия спинового расщепления”, Письма в ЖЭТФ, 88:12 (2008), 939–943; JETP Letters, 88:12 (2008), 819–822
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Dor08}
\by С.~И.~Дорожкин
\paper Тип второй подзоны размерного квантования дырок у~поверхности Si(110): анизотропия спинового расщепления
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2008
\vol 88
\issue 12
\pages 939--943
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl323}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2008
\vol 88
\issue 12
\pages 819--822
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364008240090}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000264062900009}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-63049097162}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl323
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v88/i12/p939
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024