|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2008, том 88, выпуск 12, страницы 939–943
(Mi jetpl323)
|
|
|
|
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Тип второй подзоны размерного квантования дырок у поверхности Si(110): анизотропия спинового расщепления
С. И. Дорожкин Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка,
Московская обл., Россия
Аннотация:
Выполнены измерения магнетосопротивления для случаев заполнения одной и двух размерно-квантованных подзон дырок в кремниевых полевых транзисторах, созданных на поверхности Si (110).
В обоих случаях обнаружена очень слабая чувствительность осцилляций Шубникова–де Гааза
к компоненте магнитного поля, параллельной квазидвумерной системе. Этот результат указывает на то, что обе нижние подзоны размерного квантования образованы тяжелыми дырками. Для второй подзоны этот вывод расходится с широко принятой точкой зрения о том, что эта подзона в исследованной системе является основной подзоной легких дырок.
Поступила в редакцию: 11.11.2008
Образец цитирования:
С. И. Дорожкин, “Тип второй подзоны размерного квантования дырок у поверхности Si(110): анизотропия спинового расщепления”, Письма в ЖЭТФ, 88:12 (2008), 939–943; JETP Letters, 88:12 (2008), 819–822
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl323 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v88/i12/p939
|
|