Блокада туннелирования в подвешенном одноэлектронном транзисторе

В одноэлектроном транзисторе с квантовой точкой, сформированной на узкой GaAs/AlGaAs квантовой проволоке, подвешенной над подложкой, исследовано туннелирование электронов, ограниченное эффектом кулоновской блокады. С помощью прямого сравнительного эксперимента выявлены особенности туннелирования, связанные с отрывом квантовой точки от подложки. Помимо увеличения зарядовой энергии (кулоновской щели), которая достигла 170 К в температурных единицах, обнаружена также ее зависимость от числа электронов на квантовой точке, которое изменялось от 0 до 4, что можно объяснить изменением эффективного размера точки под влиянием обедняющего затворного напряжения. Кроме того, обнаружена дополнительная, не связанная с кулоновской, блокада туннелирования, специфичная для подвешенных структур. Показано, что эта блокада не связана с динамическим эффектом возбуждения локальных фононных мод и может быть объяснена с учетом изменения статических упругих деформаций квантовой проволоки, сопровождающих туннелирование электрона в/из квантовой точки.