Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2012, том 96, выпуск 1, страницы 33–36 (Mi jetpl3165)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Ab initio electronic structure of Ge(111)-(2$\times$1) surface in the presence of surface vacancy. Apllication to STM data analysis

S. V. Savinova, A. I. Oreshkina, S. I. Oreshkinb

a M. V. Lomonosov Moscow State University, Faculty of Physics
b P. K. Sternberg Astronomical Institute, M. V. Lomonosov Moscow State University
Список литературы:
Аннотация: We present the results of first principles modeling of Ge(111)-(2${\times}$1) surface in the presence of atomic vacancy in surface bi-layer. We showed that simple crystal structure defect affects surface electronic structure to the extent comparable with the influence of doping atom. We demonstrated the strong difference of surface LDOS structure above surface defects of different kind. We have proved that spatial oscillations of LDOS exist around individual surface vacancy in the same tunneling bias range as in case of donor doping atom on Ge(111)-(2${\times}$1) surface.
Поступила в редакцию: 26.05.2012
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2012, Volume 96, Issue 1, Pages 31–34
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364012130103
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: S. V. Savinov, A. I. Oreshkin, S. I. Oreshkin, “Ab initio electronic structure of Ge(111)-(2$\times$1) surface in the presence of surface vacancy. Apllication to STM data analysis”, Письма в ЖЭТФ, 96:1 (2012), 33–36; JETP Letters, 96:1 (2012), 31–34
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SavOreOre12}
\by S.~V.~Savinov, A.~I.~Oreshkin, S.~I.~Oreshkin
\paper Ab initio electronic structure of Ge(111)-(2$\times$1) surface in the presence of surface vacancy.
Apllication to STM data analysis
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2012
\vol 96
\issue 1
\pages 33--36
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl3165}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=18042255}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2012
\vol 96
\issue 1
\pages 31--34
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364012130103}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000308346100007}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20480408}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84866027912}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl3165
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v96/i1/p33
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:196
    PDF полного текста:65
    Список литературы:51
    Первая страница:10
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024