|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2012, том 96, выпуск 1, страницы 33–36
(Mi jetpl3165)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Ab initio electronic structure of Ge(111)-(2$\times$1) surface in the presence of surface vacancy.
Apllication to STM data analysis
S. V. Savinova, A. I. Oreshkina, S. I. Oreshkinb a M. V. Lomonosov Moscow State University, Faculty of Physics
b P. K. Sternberg Astronomical Institute, M. V. Lomonosov Moscow State University
Аннотация:
We present the results of first principles modeling of Ge(111)-(2${\times}$1) surface in the presence of atomic vacancy
in surface bi-layer. We showed that simple crystal structure defect affects surface electronic structure to the extent
comparable with the influence of doping atom. We demonstrated the strong difference of surface
LDOS structure above surface defects of different kind. We have proved that spatial oscillations of LDOS
exist around individual surface vacancy in the same tunneling bias range as in case of donor doping atom on Ge(111)-(2${\times}$1)
surface.
Поступила в редакцию: 26.05.2012
Образец цитирования:
S. V. Savinov, A. I. Oreshkin, S. I. Oreshkin, “Ab initio electronic structure of Ge(111)-(2$\times$1) surface in the presence of surface vacancy.
Apllication to STM data analysis”, Письма в ЖЭТФ, 96:1 (2012), 33–36; JETP Letters, 96:1 (2012), 31–34
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl3165 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v96/i1/p33
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 196 | PDF полного текста: | 65 | Список литературы: | 51 | Первая страница: | 10 |
|