Новый механизм проводимости по примесям в кристаллическом слабо легированном некомпенсированном кремнии

Обнаружено, что пластическая деформация образцов кристаллического слабо легированного кремния ($N<6\cdot10^{16}\,$см$^{-3}$) с малой компенсацией ($K\sim3\cdot10^{-2}$) приводит к появлению в электрических полях неомической проводимости $\sigma_M$, которая по своим свойствам кардинально отличается от обычной прыжковой проводимости по основным состояниям примеси ($\sigma_3$). Значения $\sigma_M$ могут превышать значения $\sigma_3$ в $10^3{-}10^5$ раз. Величиной и зависимостями $\sigma_M$ от электрического ($E$) и магнитного ($H$) полей можно управлять, меняя плотность дислокаций и режим тепловой обработки образца. В образцах с ориентированными дислокациями наблюдается сильная анизотропия $\sigma_M$: проводимости вдоль и поперек дислокаций могут отличаться в $10^4$ раз. Результаты объясняются возникновением проводимости по $H^-$-подобным состояниям примесей, сконцентрированных вблизи дислокаций. Уровни этих состояний находятся между нижней и верхней примесными зонами Хаббарда.