Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2002, том 75, выпуск 11, страницы 680–683 (Mi jetpl3125)  
Эта публикация цитируется в 12 научных статьях (всего в 12 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Электропроводность кристаллов фуллерена С$_{\mathbf{60}}$ при динамическом сжатии до 200 кбар

Ю. А. Осипьянa, В. Е. Фортовb, К. Л. Каганb, В. В. Кведерa, В. И. Кулаковa, А. Н. Курьянчикb, Р. К. Николаевa, В. И. Постновb, Н. С. Сидоровa

a Институт физики твердого тела РАН
b Институт проблем химической физики РАН, г. Черноголовка Московской обл.
PDF полного текста (190 kB) Список цитирования (12)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: Измерена удельная электропроводность $\sigma $ кристаллов фуллерена С$_{60}$ в условиях квазиизэнтропического нагружения размытой ударной волной до давления 200 кбар при начальных температурах $T=293\,$К и 77 К. В результате зарегистрировано резкое увеличение $\sigma $ на 7–8 порядков с $10^{-6}{-} 10^{-7}$ Ом$^{-1}\cdot$см$^{-1}$ при нормальных условиях до 5 Ом$^{-1}\cdot$см$^{-1}$ в диапазоне давлений 100-200 кбар. Электропроводность образцов под давлением падает с понижением температуры, что характерно для полупроводников. При снятии давления значение $\sigma $ возвращается к исходной величине.
Поступила в редакцию: 22.04.2002
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2002, Volume 75, Issue 11, Pages 563–565
DOI: https://doi.org/10.1134/1.1500722
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 81.40.Vw, 71.30.+h
Образец цитирования: Ю. А. Осипьян, В. Е. Фортов, К. Л. Каган, В. В. Кведер, В. И. Кулаков, А. Н. Курьянчик, Р. К. Николаев, В. И. Постнов, Н. С. Сидоров, “Электропроводность кристаллов фуллерена С$_{\mathbf{60}}$ при динамическом сжатии до 200 кбар”, Письма в ЖЭТФ, 75:11 (2002), 680–683; JETP Letters, 75:11 (2002), 563–565
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{OsiForKag02}
\by Ю.~А.~Осипьян, В.~Е.~Фортов, К.~Л.~Каган, В.~В.~Кведер, В.~И.~Кулаков, А.~Н.~Курьянчик, Р.~К.~Николаев, В.~И.~Постнов, Н.~С.~Сидоров
\paper Электропроводность кристаллов фуллерена С$_{\mathbf{60}}$ при динамическом сжатии до 200 кбар
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2002
\vol 75
\issue 11
\pages 680--683
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl3125}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2002
\vol 75
\issue 11
\pages 563--565
\crossref{https://doi.org/10.1134/1.1500722}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-0040076643}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl3125
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v75/i11/p680
    • Эта публикация цитируется в следующих 12 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:287
    PDF полного текста:97
    Список литературы:62
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024