Пики избыточных шумов диодных структур на пористом кремнии

Приводятся результаты попытки экспериментального наблюдения при комнатной температуре осцилляций напряжения, связанных с дискретным туннелированием дырок в пористом кремнии (ПК). Исследовались шумовые характеристики диодных структур с прослойкой ПК, сформированного на монокристаллах сильно легированного бором кремния. Обнаружены пики избыточных шумов на частотах $\sim1\,$МГц, на которых следовало ожидать одноэлектронные осцилляции. Пиковая мощность шума возрастала с ростом тока по степенному закону с показателем $\sim2.5$ и при плотности тока 0.15 A/см$^2$ на 3-4 порядка превышала мощность шума приемника. Сложные вид спектра шумов и его расширение в область высоких частот с ростом тока объясняются трехмерностью системы кремниевых наноразмерных гранул, вкрапленных в диэлектрическую двуокись кремния в ПК.