|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2002, том 75, выпуск 9, страницы 584–1
(Mi jetpl3108)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Самоформирование сеток квантовых нитей в пористых сверхрешетках InGaAs/GaAs
Л. К. Орлов, Н. Л. Ивина Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
Аннотация:
На базе многослойных гетероэпитаксиальных структур с двумерным газом носителей заряда в слоях InGaAs путем самоформирования в процессе электрохимического травления образцов реализованы структуры, содержащие сетки одномерных квантовых нитей. Факт понижения размерности электронно-дырочной подсистемы, связанный с трансформацией спектра энергии носителей заряда из двумерного в квазиодномерный, продемонстрирован по сдвигу и сужению резонансных линий в спектре фотолюминесценции.
Поступила в редакцию: 08.04.2002
Образец цитирования:
Л. К. Орлов, Н. Л. Ивина, “Самоформирование сеток квантовых нитей в пористых сверхрешетках InGaAs/GaAs”, Письма в ЖЭТФ, 75:9 (2002), 584–1; JETP Letters, 75:9 (2002), 492–494
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl3108 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v75/i9/p584
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 145 | PDF полного текста: | 36 | Список литературы: | 45 |
|