Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2008, том 88, выпуск 11, страницы 877–882 (Mi jetpl310)  
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Электронные переходы в монокристалле VBO$_3$ при высоких давлениях

А. Г. Гаврилюкab, Н. В. Казакc, С. Г. Овчинниковcd, И. С. Любутинa

a Институт кристаллографии РАН, 119333 Москва, Россия
b Институт физики высоких давлений им. Л. Ф. Верещагина РАН
c Институт физики им. Л. В. Киренского Сибирского отд. РАН, 660036 Красноярск, Россия
d Сибирский федеральный университет, 660041 Красноярск, Россия
PDF полного текста (968 kB) Список цитирования (3)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: Изучены спектры оптического поглощения в монокристаллах ферромагнитного полупроводника VBO$_3$ при воздействии высоких давлений до 70 ГПа, создаваемых в камере с алмазными наковальнями. При давлении $P_C\approx30\,$ГПа обнаружен электронный переход, сопровождающийся резким изменением оптических свойств и падением оптической щели от $E_0=3.02$ до 2.25 эВ. В фазе высокого давления щель не обращается в нуль, а принимает значение, типичное для полупроводников, что свидетельствует о переходе типа полупроводник-полупроводник. Величина критического давления, при котором возможен переход в металлическое состояние, оценена равной $P_{\rm met}\sim290\,$ГПа.
Поступила в редакцию: 30.10.2008
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2008, Volume 88, Issue 11, Pages 762–766
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364008230136
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 74.62.Fj, 75.50.-y, 78.70.En, 81.40.Rs
Образец цитирования: А. Г. Гаврилюк, Н. В. Казак, С. Г. Овчинников, И. С. Любутин, “Электронные переходы в монокристалле VBO$_3$ при высоких давлениях”, Письма в ЖЭТФ, 88:11 (2008), 877–882; JETP Letters, 88:11 (2008), 762–766
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GavKazOvc08}
\by А.~Г.~Гаврилюк, Н.~В.~Казак, С.~Г.~Овчинников, И.~С.~Любутин
\paper Электронные переходы в монокристалле VBO$_3$ при высоких давлениях
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2008
\vol 88
\issue 11
\pages 877--882
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl310}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2008
\vol 88
\issue 11
\pages 762--766
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364008230136}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000263786700013}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-70349428939}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl310
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v88/i11/p877
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:272
    PDF полного текста:97
    Список литературы:38
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024