Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2002, том 75, выпуск 2, страницы 103–108 (Mi jetpl3031)  
Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Когерентное туннелирование между элементарными проводящими слоями в проводнике с волной зарядовой плотности NbSe$\mathbf{_3}$

Ю. И. Латышевa, А. А. Синченкоbc, Л. Н. Булаевскийd, В. Н. Павленкоa, П. Монсоc

a Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, г. Москва К-9
b Московский инженерно-физический институт (государственный университет)
c Centre de Recherches sur les Très Basses Températures
d Los Alamos National Laboratory
PDF полного текста (362 kB) Список цитирования (15)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: Исследованы особенности поперечного транспорта в направлении кристаллографической оси $a^*$ в проводнике с волной зарядовой плотности (ВЗП) NbSe$_3$. При низких температурах на ВАХ слоистых структур и точечных контактов NbSe$_3$-NbSe$_3$ наблюдаются сильный пик динамической проводимости при нулевом напряжении смещения и, на слоистых структурах, серия пиков при напряжениях, кратных удвоенной пайерлсовской щели. Обнаруженное поведение во многом напоминает межслоевую туннельную проводимость в высокотемпературных слоистых сверхпроводниках типа Bi-2212. Пик проводимости при нулевом смещении объяснен в модели почти когерентного межслоевого туннелирования несконденсированных в ВЗП носителей.
Поступила в редакцию: 05.11.2001
Исправленный вариант: 17.12.2001
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2002, Volume 75, Issue 2, Pages 93–97
DOI: https://doi.org/10.1134/1.1466484
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.25.Gy, 71.45.Lr, 72.15.Nj, 74.25.Gz
Образец цитирования: Ю. И. Латышев, А. А. Синченко, Л. Н. Булаевский, В. Н. Павленко, П. Монсо, “Когерентное туннелирование между элементарными проводящими слоями в проводнике с волной зарядовой плотности NbSe$\mathbf{_3}$”, Письма в ЖЭТФ, 75:2 (2002), 103–108; JETP Letters, 75:2 (2002), 93–97
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LatSinBul02}
\by Ю.~И.~Латышев, А.~А.~Синченко, Л.~Н.~Булаевский, В.~Н.~Павленко, П.~Монсо
\paper Когерентное туннелирование между элементарными проводящими слоями в проводнике с волной зарядовой плотности NbSe$\mathbf{_3}$
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2002
\vol 75
\issue 2
\pages 103--108
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl3031}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2002
\vol 75
\issue 2
\pages 93--97
\crossref{https://doi.org/10.1134/1.1466484}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-0002218008}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl3031
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v75/i2/p103
    • Эта публикация цитируется в следующих 15 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:186
    PDF полного текста:60
    Список литературы:29
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024