Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2002, том 75, выпуск 2, страницы 100–102 (Mi jetpl3030)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Самоформирование системы высокоупорядоченных наноостровков германия при эпитаксии на профилированные кремниевые (111) подложки в условиях электропереноса

И. В. Закурдаевa, С. Ю. Садофьевa, А. О. Погосовb

a Рязанская государственная радиотехническая академия
b Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
PDF полного текста (107 kB) Список цитирования (1)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: При помощи атомно-силового микроскопа проведено исследование топографии поверхности SiGe структур, сформированных при эпитаксии Ge на профилированные подложки Si(111) в условиях электромиграции. Получены системы высокоупорядоченных наноостровков германия размерами (10–20) нм и плотностью $6\cdot10^{10}$ см$^{-2}$. Показана принципиальная возможность управляемого воздействия на геометрические параметры самоорганизующихся наноостровков за счет выбора условий формирования и послеростового отжига структур.
Поступила в редакцию: 11.12.2001
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2002, Volume 75, Issue 2, Pages 91–92
DOI: https://doi.org/10.1134/1.1466483
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 61.46.+w
Образец цитирования: И. В. Закурдаев, С. Ю. Садофьев, А. О. Погосов, “Самоформирование системы высокоупорядоченных наноостровков германия при эпитаксии на профилированные кремниевые (111) подложки в условиях электропереноса”, Письма в ЖЭТФ, 75:2 (2002), 100–102; JETP Letters, 75:2 (2002), 91–92
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZakSadPog02}
\by И.~В.~Закурдаев, С.~Ю.~Садофьев, А.~О.~Погосов
\paper Самоформирование системы высокоупорядоченных наноостровков германия при эпитаксии на профилированные кремниевые (111) подложки в условиях электропереноса
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2002
\vol 75
\issue 2
\pages 100--102
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl3030}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2002
\vol 75
\issue 2
\pages 91--92
\crossref{https://doi.org/10.1134/1.1466483}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-0038890120}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl3030
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v75/i2/p100
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:170
    PDF полного текста:62
    Список литературы:39
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024