|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2002, том 76, выпуск 11, страницы 784–787
(Mi jetpl2993)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Кинетика заполнения электронами 2D состояний на пленке гелия
В. Б. Шикин Институт физики твердого тела РАН
Аннотация:
Обсуждаются детали процесса зарядки электронами свободной поверхности жидкого гелия. Показано, что толщина пленки гелия здесь не остается постоянной, постепенно уменьшаясь под действием электронного давления на поверхность гелия. В свою очередь, давление зависит от толщины пленки. Возникает самосогласованная кинетическая задача с характерным временем релаксации $\tau$ в основном гидродинамического происхождения (вязкая подстройка толщины пленки гелия к переменному значению электронного давления). Величина $\tau$ весьма чувствительна к толщине $d$ пленки гелия ($ \tau \propto d^3 $). В актуальном интервале $10^{-1}\,{\rm см} > d > 10^{-4}\,$см область изменения $\tau $ имеет масштаб $10^{-3}\,{\rm с} \le \tau \le 10^{+8}$ с. Особенно интересна ситуация в окрестности критической точки (в критической точке заряженная пленка гелия теряет устойчивость). Приближение к ней сопровождается ростом $\tau$ вплоть до его обращения в бесконечность.
Поступила в редакцию: 10.10.2002 Исправленный вариант: 24.10.2002
Образец цитирования:
В. Б. Шикин, “Кинетика заполнения электронами 2D состояний на пленке гелия”, Письма в ЖЭТФ, 76:11 (2002), 784–787; JETP Letters, 76:11 (2002), 660–663
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl2993 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v76/i11/p784
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 130 | PDF полного текста: | 64 | Список литературы: | 53 |
|