Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2002, том 76, выпуск 11, страницы 784–787 (Mi jetpl2993)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Кинетика заполнения электронами 2D состояний на пленке гелия

В. Б. Шикин

Институт физики твердого тела РАН
Список литературы:
Аннотация: Обсуждаются детали процесса зарядки электронами свободной поверхности жидкого гелия. Показано, что толщина пленки гелия здесь не остается постоянной, постепенно уменьшаясь под действием электронного давления на поверхность гелия. В свою очередь, давление зависит от толщины пленки. Возникает самосогласованная кинетическая задача с характерным временем релаксации $\tau$ в основном гидродинамического происхождения (вязкая подстройка толщины пленки гелия к переменному значению электронного давления). Величина $\tau$ весьма чувствительна к толщине $d$ пленки гелия ($ \tau \propto d^3 $). В актуальном интервале $10^{-1}\,{\rm см} > d > 10^{-4}\,$см область изменения $\tau $ имеет масштаб $10^{-3}\,{\rm с} \le \tau \le 10^{+8}$ с. Особенно интересна ситуация в окрестности критической точки (в критической точке заряженная пленка гелия теряет устойчивость). Приближение к ней сопровождается ростом $\tau$ вплоть до его обращения в бесконечность.
Поступила в редакцию: 10.10.2002
Исправленный вариант: 24.10.2002
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2002, Volume 76, Issue 11, Pages 660–663
DOI: https://doi.org/10.1134/1.1545579
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 67.70.+n, 72.60.+g, 73.50.-h
Образец цитирования: В. Б. Шикин, “Кинетика заполнения электронами 2D состояний на пленке гелия”, Письма в ЖЭТФ, 76:11 (2002), 784–787; JETP Letters, 76:11 (2002), 660–663
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Shi02}
\by В.~Б.~Шикин
\paper Кинетика заполнения электронами 2D состояний на пленке гелия
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2002
\vol 76
\issue 11
\pages 784--787
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl2993}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2002
\vol 76
\issue 11
\pages 660--663
\crossref{https://doi.org/10.1134/1.1545579}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-0039484225}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl2993
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v76/i11/p784
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:130
    PDF полного текста:64
    Список литературы:53
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024