|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2002, том 76, выпуск 9, страницы 673–677
(Mi jetpl2974)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 12 научных статьях (всего в 12 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Влияние экранирования двумерными носителями заряда на энергию связи экситонных состояний в GaAs/AlGaAs квантовых ямах
С. И. Губарев, О. В. Волков, В. А. Ковальский, Д. В. Кулаковский, И. В. Кукушкин Институт физики твердого тела РАН
Аннотация:
Исследован спектр возбужденных состояний экситонов в квантовых ямах GaAs/AlGaAs различной ширины и его изменение из-за экранирования электронно-дырочного взаимодействия двумерными электронами. Обнаружено резкое уменьшение энергии связи экситонов при увеличении концентрации двумерных электронов и изучена температурная зависимость параметров экранирования основного и возбужденного состояний экситонов вплоть до сверхнизких температур $T=50$ мК.
Поступила в редакцию: 14.10.2002
Образец цитирования:
С. И. Губарев, О. В. Волков, В. А. Ковальский, Д. В. Кулаковский, И. В. Кукушкин, “Влияние экранирования двумерными носителями заряда на энергию связи экситонных состояний в GaAs/AlGaAs квантовых ямах”, Письма в ЖЭТФ, 76:9 (2002), 673–677; JETP Letters, 76:9 (2002), 575–578
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl2974 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v76/i9/p673
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 164 | PDF полного текста: | 75 | Список литературы: | 37 |
|