Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2002, том 76, выпуск 9, страницы 673–677 (Mi jetpl2974)  
Эта публикация цитируется в 12 научных статьях (всего в 12 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Влияние экранирования двумерными носителями заряда на энергию связи экситонных состояний в GaAs/AlGaAs квантовых ямах

С. И. Губарев, О. В. Волков, В. А. Ковальский, Д. В. Кулаковский, И. В. Кукушкин

Институт физики твердого тела РАН
PDF полного текста (353 kB) Список цитирования (12)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: Исследован спектр возбужденных состояний экситонов в квантовых ямах GaAs/AlGaAs различной ширины и его изменение из-за экранирования электронно-дырочного взаимодействия двумерными электронами. Обнаружено резкое уменьшение энергии связи экситонов при увеличении концентрации двумерных электронов и изучена температурная зависимость параметров экранирования основного и возбужденного состояний экситонов вплоть до сверхнизких температур $T=50$ мК.
Поступила в редакцию: 14.10.2002
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2002, Volume 76, Issue 9, Pages 575–578
DOI: https://doi.org/10.1134/1.1538293
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 71.35.Cc, 78.66.Fd
Образец цитирования: С. И. Губарев, О. В. Волков, В. А. Ковальский, Д. В. Кулаковский, И. В. Кукушкин, “Влияние экранирования двумерными носителями заряда на энергию связи экситонных состояний в GaAs/AlGaAs квантовых ямах”, Письма в ЖЭТФ, 76:9 (2002), 673–677; JETP Letters, 76:9 (2002), 575–578
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GubVolKov02}
\by С.~И.~Губарев, О.~В.~Волков, В.~А.~Ковальский, Д.~В.~Кулаковский, И.~В.~Кукушкин
\paper Влияние экранирования двумерными носителями заряда на энергию связи экситонных состояний в GaAs/AlGaAs квантовых ямах
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2002
\vol 76
\issue 9
\pages 673--677
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl2974}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2002
\vol 76
\issue 9
\pages 575--578
\crossref{https://doi.org/10.1134/1.1538293}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-0040669578}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl2974
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v76/i9/p673
    • Эта публикация цитируется в следующих 12 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:149
    PDF полного текста:69
    Список литературы:28
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024