|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2002, том 76, выпуск 9, страницы 660–664
(Mi jetpl2971)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Multicomponent dense electron gas as a model of Si MOSFET
S. V. Iordanskii, A. B. Kashuba L. D. Landau Institute for Theoretical Physics, Russian Academy of Sciences
Аннотация:
We solve a 2D model of $N$-component dense electron gas in the limit $N\to \infty$ and in a range of the Coulomb interaction parameter: $N^{-3/2}\ll r_s\ll 1$. The quasiparticle interaction on the Fermi circle vanishes as $\hbar^2/Nm$. The ground state energy and the effective mass are found as series in powers of $r_s^{2/3}$. In the quantum Hall state on the lowest Landau level at integer filling: $1\ll\nu<N$, the charge activation energy gap and the exchange constant are: $\Delta=\log(r_s N^{3/2})\hbar\omega_H/\nu$ and $J=0.66 \hbar\omega_H/\nu$.
Поступила в редакцию: 02.10.2002
Образец цитирования:
S. V. Iordanskii, A. B. Kashuba, “Multicomponent dense electron gas as a model of Si MOSFET”, Письма в ЖЭТФ, 76:9 (2002), 660–664; JETP Letters, 76:9 (2002), 563–567
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl2971 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v76/i9/p660
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 126 | PDF полного текста: | 69 | Список литературы: | 40 |
|