Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2002, том 76, выпуск 9, страницы 660–664 (Mi jetpl2971)  

Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Multicomponent dense electron gas as a model of Si MOSFET

S. V. Iordanskii, A. B. Kashuba

L. D. Landau Institute for Theoretical Physics, Russian Academy of Sciences
Список литературы:
Аннотация: We solve a 2D model of $N$-component dense electron gas in the limit $N\to \infty$ and in a range of the Coulomb interaction parameter: $N^{-3/2}\ll r_s\ll 1$. The quasiparticle interaction on the Fermi circle vanishes as $\hbar^2/Nm$. The ground state energy and the effective mass are found as series in powers of $r_s^{2/3}$. In the quantum Hall state on the lowest Landau level at integer filling: $1\ll\nu<N$, the charge activation energy gap and the exchange constant are: $\Delta=\log(r_s N^{3/2})\hbar\omega_H/\nu$ and $J=0.66 \hbar\omega_H/\nu$.
Поступила в редакцию: 02.10.2002
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2002, Volume 76, Issue 9, Pages 563–567
DOI: https://doi.org/10.1134/1.1538290
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 71.10.Ca, 73.43.Cd
Язык публикации: английский
Образец цитирования: S. V. Iordanskii, A. B. Kashuba, “Multicomponent dense electron gas as a model of Si MOSFET”, Письма в ЖЭТФ, 76:9 (2002), 660–664; JETP Letters, 76:9 (2002), 563–567
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{IorKas02}
\by S.~V.~Iordanskii, A.~B.~Kashuba
\paper Multicomponent dense electron gas as a model of Si MOSFET
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2002
\vol 76
\issue 9
\pages 660--664
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl2971}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2002
\vol 76
\issue 9
\pages 563--567
\crossref{https://doi.org/10.1134/1.1538290}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-0040076009}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl2971
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v76/i9/p660
  • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:138
    PDF полного текста:76
    Список литературы:45
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024