Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2002, том 76, выпуск 7, страницы 550–552 (Mi jetpl2951)  
Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Полевая электронная эмиссия из Ge-Si наноструктур с квантовыми точками

А. А. Дадыкинa, Ю. Н. Козыревb, А. Г. Наумовецa

a Институт физики НАН Украины, г. Киев
b Институт химии поверхности им. А. А. Чуйко НАН Украины
PDF полного текста (183 kB) Список цитирования (11)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены самоорганизованные массивы Ge-Si кластеров, размерами $\sim10\,$нм и плотностью $\sim10^{10}$см$^{-2}$. Обнаружена и исследована стабильная стационарная полевая электронная эмиссия из таких кластеров. Характеристики эмиссии отличаются наличием резонансных пиков тока, объясняемых квантованием энергии электронов в нанокластерах. Оценка энергии основного уровня их эмиссионных измерений совпадает с оценками, полученными другими методами.
Поступила в редакцию: 24.07.2002
Исправленный вариант: 12.09.2002
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2002, Volume 76, Issue 7, Pages 472–474
DOI: https://doi.org/10.1134/1.1528705
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 68.55.-a, 81.15.-z
Образец цитирования: А. А. Дадыкин, Ю. Н. Козырев, А. Г. Наумовец, “Полевая электронная эмиссия из Ge-Si наноструктур с квантовыми точками”, Письма в ЖЭТФ, 76:7 (2002), 550–552; JETP Letters, 76:7 (2002), 472–474
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DadKozNau02}
\by А.~А.~Дадыкин, Ю.~Н.~Козырев, А.~Г.~Наумовец
\paper Полевая электронная эмиссия из Ge-Si наноструктур с квантовыми точками
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2002
\vol 76
\issue 7
\pages 550--552
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl2951}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2002
\vol 76
\issue 7
\pages 472--474
\crossref{https://doi.org/10.1134/1.1528705}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-0038891582}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl2951
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v76/i7/p550
    • Эта публикация цитируется в следующих 11 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:184
    PDF полного текста:120
    Список литературы:43
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024