|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2002, том 76, выпуск 3, страницы 223–1
(Mi jetpl2890)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 24 научных статьях (всего в 24 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Электронные свойства новых сверхпроводников Ca(Al$_x$Si$_{1-x})_2$ и Sr(Ga$_x$Si$_{1-x})_2$ в кристаллическом и нанотубулярном состояниях
И. Р. Шеин, В. В. Ивановская, Н. И. Медведева, А. Л. Ивановский Институт химии твердого тела УрО РАН, г. Екатеринбург
Аннотация:
Первопринципным полнопотенциальным методом ЛМТО изучена зонная структуры новых слоистых (типа AlB$_2$) сверхпроводников Ca(Al$_x$Si$_{1- x})_2$ и Sr(Ga$_x$Si$_{1-x})_2$. Показано, что сверхпроводящие свойства тройных силицидов обусловлены высокой плотностью (Ca,Sr)$d$-состояний вблизи уровня Ферми, а рост $T_C$ при переходе Sr(Ga$_x$Si$_{1-x})_2\rightarrow {\rm Ca(Al}_x{\rm Si}_{1-x})_2$ связан с увеличением фононных частот вследствие уменьшения массы атомов. Выполнено моделирование электронных свойств гипотетических $(11,11)$ и $(20,0)$ CaAlSi и SrGaSi нанотрубок. При переходе от кристаллического к нанотубулярному состоянию силицидные системы сохраняют металлоподобные свойства. Методами получения силицидных нанотрубок могут стать темплатный и метод «свертки пленок».
Поступила в редакцию: 26.06.2002 Исправленный вариант: 08.07.2002
Образец цитирования:
И. Р. Шеин, В. В. Ивановская, Н. И. Медведева, А. Л. Ивановский, “Электронные свойства новых сверхпроводников Ca(Al$_x$Si$_{1-x})_2$ и Sr(Ga$_x$Si$_{1-x})_2$ в кристаллическом и нанотубулярном состояниях”, Письма в ЖЭТФ, 76:3 (2002), 223–1; JETP Letters, 76:3 (2002), 189–193
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl2890 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v76/i3/p223
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 166 | PDF полного текста: | 49 | Список литературы: | 33 |
|