Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2008, том 88, выпуск 9, страницы 717–723 (Mi jetpl280)  

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Магнитные блоховские состояния и транспорт носителей в двумерных полупроводниковых решеточных структурах со спин-орбитальным взаимодействием

А. А. Перов, Л. В. Солнышкова

Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского Россия, 603950 Нижний Новгород, Россия
Список литературы:
Аннотация: Установлены законы квантования холловского кондактанса полностью заполненных магнитных подзон Ландау двумерного электронного газа со спин-орбитальным (СО) взаимодействием Дрессельхауза, находящегося в периодическом электростатическом поле сверхрешетки и перпендикулярном магнитном поле. Спин-орбитальное взаимодействие перемешивает состояния различных магнитных подзон и изменяет закон квантования холловского кондактанса по сравнению со случаем бесспиновых частиц. Расчеты проведены для двумерных электронов в структурах как со слабым (AlGaAs/GaAs), так и с достаточно сильным (GaAs/In$_{0.23}$Ga$_{0.77}$As) спин-орбитальным взаимодействием и зеемановским расщеплением. Установлено, что распределение холловского кондактанса по магнитным подзонам зависит от геометрических параметров сверхрешеток и мгновенно изменяется при касании соседних подзон в спектре. Показано, что в реальных полупроводниковых структурах с достаточно сильным СО взаимодействием закон квантования холловского кондактанса отличается от закона квантования, рассчитанного Таулессом с сотрудниками [Phys. Rev. Lett. 49, 405 (1982)] для систем в отсутствие СО взаимодействия и эффекта Зеемана.
Поступила в редакцию: 10.09.2008
Исправленный вариант: 22.09.2008
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2009, Volume 88, Issue 9, Pages 625–630
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364008210170
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 71.70.-d, 78.70.Pt
Образец цитирования: А. А. Перов, Л. В. Солнышкова, “Магнитные блоховские состояния и транспорт носителей в двумерных полупроводниковых решеточных структурах со спин-орбитальным взаимодействием”, Письма в ЖЭТФ, 88:9 (2008), 717–723; JETP Letters, 88:9 (2009), 625–630
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PerSol08}
\by А.~А.~Перов, Л.~В.~Солнышкова
\paper Магнитные блоховские состояния и транспорт носителей в~двумерных полупроводниковых решеточных структурах со спин-орбитальным взаимодействием
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2008
\vol 88
\issue 9
\pages 717--723
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl280}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2009
\vol 88
\issue 9
\pages 625--630
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364008210170}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000262846700017}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-64749114469}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl280
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v88/i9/p717
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:297
    PDF полного текста:139
    Список литературы:38
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024