|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2003, том 77, выпуск 5, страницы 288–291
(Mi jetpl2753)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Образование и кинетика роста аномального состояния кристалла $^4$Не ниже 0.45 К
В. Л. Цымбаленко Институт сверхпроводимости и физики твердого тела, Российский научный центр "Курчатовский институт"
Аннотация:
Определена диаграмма аномального состояния кристаллов $^4$He в интервале 0.2–0.45 К. Показано согласие с диаграммой «взрывоподобного» роста бездислокационной грани, что подтверждает ранее высказанное предположение об общности этих эффектов. Сформулированы требования к теоретической модели явления. Измерена зависимость скорости роста граней в аномальном состоянии до пересыщений $\sim20\,$мбар. Обнаружено, что выше $\sim8\,$мбар скорость роста выходит на константу $\sim3.5\,$м/с.
Поступила в редакцию: 04.02.2003
Образец цитирования:
В. Л. Цымбаленко, “Образование и кинетика роста аномального состояния кристалла $^4$Не ниже 0.45 К”, Письма в ЖЭТФ, 77:5 (2003), 288–291; JETP Letters, 77:5 (2003), 243–246
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl2753 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v77/i5/p288
|
|