|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2003, том 78, выпуск 11, страницы 1228–1231
(Mi jetpl2684)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Электронное охлаждение в болометре на горячих электронах в нормальном металле
М. А. Тарасовab, Л. С. Кузьминcb, М. Ю. Фоминскийab, И. Агулоb, А. Калабуховcb a Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, г. Москва К-9
b Chalmers University of Technology
c Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова
Аннотация:
Изготовлены и экспериментально исследованы болометры на горячих электронах в нормальном металле БГЭНМ с двумя переходами сверхпроводник–изолятор–нормальный металл (СИН) для электронного охлаждения и двумя СИН-переходами для измерения температуры. Электронное охлаждение СИН-переходами является аналогом эффекта Пелтье и позволяет снижать эффективную электронную температуру болометра. Величина электронной температуры определялась из отношения дифференциального сопротивления к нормальному при нескольких значениях постоянного смещения. При фононной температуре 250 мК отношение сопротивлений при нулевом смещении достигало 1000, что близко к теоретическому значению для идеального СИН-перехода. Достигнуто снижение электронной температуры от 250 мК до 90 мК.
Поступила в редакцию: 17.09.2003 Исправленный вариант: 09.10.2003
Образец цитирования:
М. А. Тарасов, Л. С. Кузьмин, М. Ю. Фоминский, И. Агуло, А. Калабухов, “Электронное охлаждение в болометре на горячих электронах в нормальном металле”, Письма в ЖЭТФ, 78:11 (2003), 1228–1231; JETP Letters, 78:11 (2003), 714–717
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl2684 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v78/i11/p1228
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 146 | PDF полного текста: | 63 | Список литературы: | 47 |
|