|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2003, том 78, выпуск 10, страницы 1126–1131
(Mi jetpl2668)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Резонансное туннелирование в сверхпроводящих структурах с $\mathbf{s}$- и $\mathbf{d}$-симметрией параметра порядка
Д. В. Гончаров, И. А. Девятов, М. Ю. Куприянов Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына, МГУ им. М. В. Ломоносова
Аннотация:
Исследуются процессы резонансного туннелирования в сверхпроводящих переходах малой прозрачности с различной симметрией параметра порядка электродов. В рамках формализма функций Грина выводится общая формула резонансного тока для переходов любой размерности. Для сверхпроводящих переходов с изотропным параметром порядка проведен анализ фазовой зависимости сверхтока, усредненного по множеству локализованных состояний. В 2D случае выполнен численный анализ резонансного транспорта тока в переходах с ВТСП электродами с $d$-симметрией параметра порядка.
Поступила в редакцию: 14.10.2003
Образец цитирования:
Д. В. Гончаров, И. А. Девятов, М. Ю. Куприянов, “Резонансное туннелирование в сверхпроводящих структурах с $\mathbf{s}$- и $\mathbf{d}$-симметрией параметра порядка”, Письма в ЖЭТФ, 78:10 (2003), 1126–1131; JETP Letters, 78:10 (2003), 631–636
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl2668 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v78/i10/p1126
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 151 | PDF полного текста: | 58 | Список литературы: | 40 |
|