Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2003, том 78, выпуск 9, страницы 1036–1038 (Mi jetpl2649)  

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Влияние нулевых аномалий в электронной плотности состояний электродов на спектр неупругого туннелирования

А. И. Хачатуров

Донецкий физико-технический институт им. А. А. Галкина НАН Украины
Список литературы:
Аннотация: Показано, что минимум в электронной плотности состояний одного из электродов, расположенный вблизи поверхности Ферми, сдвигает пики в спектре неупругого туннелирования в сторону больших напряжений. Найдено, что величина сдвига зависит от значения корреляционного параметра и возрастает с увеличением температуры. Утверждается, что лишь совместное наблюдение сдвига локальных особенностей неупругого туннелирования и наличие широкомасштабной нулевой аномалии в дифференциальной проводимости может служить достаточно убедительным доказательством существования соответствующей особенности в электронной плотности металлооксидных и магниторезистивных материалов.
Поступила в редакцию: 20.08.2003
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2003, Volume 78, Issue 9, Pages 548–550
DOI: https://doi.org/10.1134/1.1641481
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 73.40.-c
Образец цитирования: А. И. Хачатуров, “Влияние нулевых аномалий в электронной плотности состояний электродов на спектр неупругого туннелирования”, Письма в ЖЭТФ, 78:9 (2003), 1036–1038; JETP Letters, 78:9 (2003), 548–550
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Kha03}
\by А.~И.~Хачатуров
\paper Влияние нулевых аномалий в электронной плотности состояний электродов на спектр неупругого туннелирования
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2003
\vol 78
\issue 9
\pages 1036--1038
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl2649}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2003
\vol 78
\issue 9
\pages 548--550
\crossref{https://doi.org/10.1134/1.1641481}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-20444488439}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl2649
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v78/i9/p1036
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:145
    PDF полного текста:59
    Список литературы:41
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024