Поверхностное натяжение чистых изотопов жидкого гелия

Рассмотрены эффекты, связанные с неоднородностью пара над жидким гелием. Оба чистых изотопа имеют поверхностные уровни, заселенность которых растет при повышении температуры $T$. Мы выделили их вклад в температурную зависимость поверхностного натяжения $\sigma_3(T)$, $\sigma_4(T)$ и провели сравнение теории с результатами экспериментальных работ, выполненных в Японии [1 – 3]. Для жидкого He$^3$: $\sigma_3(T)=\sigma_3(0)-\alpha^{\infty}_3T^2$ при $0.2\,{\rm K}<T<1\,$K; $\sigma_3(T)=\sigma_3(0)-\alpha^0_3T^2\exp({-{\Delta_3}/{T}})$ при $T<0.2\,$K, где $\Delta_3\approx 0.25\,$K. Для жидкого He$^4$ при $T<2\,{\rm K}$: $\sigma_4(T)=\sigma_4(0)-AT^{7/3}-\alpha^0_4T^2\exp({-\Delta_4/T})$, где $A$ – постоянная Аткинса, а $\Delta_4\approx 4\,$K. Параметры $\alpha^0_3$, $\alpha^{\infty}_3$, $\alpha^0_4$ не зависят от свойств жидкости.