|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2003, том 78, выпуск 7, страницы 930–934
(Mi jetpl2633)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Об устойчивости слабо заряженной поверхности жидкого гелия
В. Б. Шикин Институт физики твердого тела РАН
Аннотация:
Существующая трактовка развития неустойчивости слабо заряженной поверхности гелия нуждается в коррекции. Показано, что известный электростатически «эквипотенциальный» сценарий Френкеля–Тонкса должен трансформироваться в более общую последовательность событий, сохраняющую смысл при стремлении 2D плотности зарядов к нулю. В этих условиях меняются приоритеты и становится предпочтительной зародышевая картина (с образованием отдельных многозарядных лунок) развития неустойчивости. Эксперимент качественно подтверждает предсказания теории.
Поступила в редакцию: 04.09.2003
Образец цитирования:
В. Б. Шикин, “Об устойчивости слабо заряженной поверхности жидкого гелия”, Письма в ЖЭТФ, 78:7 (2003), 930–934; JETP Letters, 78:7 (2003), 461–465
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl2633 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v78/i7/p930
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 178 | PDF полного текста: | 53 | Список литературы: | 39 |
|