|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2003, том 78, выпуск 5, страницы 757–762
(Mi jetpl2599)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
О возможности прямого изучения локального электрон-фононного взаимодействия в полупроводниках
В. Гаврюшин Институт материаловедения и прикладных исследований и Кафедра физики полупроводников, Вильнюсского университета
Аннотация:
Локальное электрон-фононное взаимодействие в состояниях глубоких уровней дефектов полупроводников изучалось методами спектроскопии индуцированного поглощения света. На примере монокристаллов ZnS:Cu показано, что метод лазерной модуляции двухступенчатого примесного поглощения является эффективным инструментом для прямых исследований фононных релаксационных эффектов в состояниях глубоких дефектов. Показано, что локальные состояния в ZnS подвержены чрезвычайно сильной электрон-фононной связи.
Поступила в редакцию: 30.06.2003 Исправленный вариант: 24.07.2003
Образец цитирования:
В. Гаврюшин, “О возможности прямого изучения локального электрон-фононного взаимодействия в полупроводниках”, Письма в ЖЭТФ, 78:5 (2003), 757–762; JETP Letters, 78:5 (2003), 309–313
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl2599 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v78/i5/p757
|
|