Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2003, том 78, выпуск 5, страницы 757–762 (Mi jetpl2599)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

О возможности прямого изучения локального электрон-фононного взаимодействия в полупроводниках

В. Гаврюшин

Институт материаловедения и прикладных исследований и Кафедра физики полупроводников, Вильнюсского университета
Список литературы:
Аннотация: Локальное электрон-фононное взаимодействие в состояниях глубоких уровней дефектов полупроводников изучалось методами спектроскопии индуцированного поглощения света. На примере монокристаллов ZnS:Cu показано, что метод лазерной модуляции двухступенчатого примесного поглощения является эффективным инструментом для прямых исследований фононных релаксационных эффектов в состояниях глубоких дефектов. Показано, что локальные состояния в ZnS подвержены чрезвычайно сильной электрон-фононной связи.
Поступила в редакцию: 30.06.2003
Исправленный вариант: 24.07.2003
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2003, Volume 78, Issue 5, Pages 309–313
DOI: https://doi.org/10.1134/1.1625731
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.65.-k, 61.72.Ji, 63.20.Mt, 71.55.Gs, 78.20.-e
Образец цитирования: В. Гаврюшин, “О возможности прямого изучения локального электрон-фононного взаимодействия в полупроводниках”, Письма в ЖЭТФ, 78:5 (2003), 757–762; JETP Letters, 78:5 (2003), 309–313
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Gav03}
\by В.~Гаврюшин
\paper О возможности прямого изучения локального электрон-фононного взаимодействия в полупроводниках
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2003
\vol 78
\issue 5
\pages 757--762
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl2599}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2003
\vol 78
\issue 5
\pages 309--313
\crossref{https://doi.org/10.1134/1.1625731}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-20644470923}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl2599
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v78/i5/p757
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:163
    PDF полного текста:76
    Список литературы:47
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024