|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2008, том 88, выпуск 8, страницы 597–600
(Mi jetpl258)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Энергетический порог Cs-индуцированной хемосорбции кислорода на поверхности GaAs(Cs, O)
К. В. Торопецкийab, О. Е. Терещенкоab, А. С. Тереховba a Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
b Институт физики полупроводников Сибирского отд. РАН, 630090 Новосибирск, Россия
Аннотация:
Экспериментально установлено, что вероятность Cs-индуцированной хемосорбции кислорода на поверхности $p$-GaAs(Cs,О) близка к единице только тогда, когда работа выхода полупроводника не превышает $\sim3.1\pm0.1\,$эВ. Измеренное положение энергетического порога адсорбции соответствует, по-видимому, энергии незаполненного уровня антисвязывающей $2\pi^*$-орбитали молекулы О$_2$, находящейся
в предадсорбционном состоянии на поверхности полупроводника.
Поступила в редакцию: 20.08.2008
Образец цитирования:
К. В. Торопецкий, О. Е. Терещенко, А. С. Терехов, “Энергетический порог Cs-индуцированной хемосорбции кислорода на поверхности GaAs(Cs, O)”, Письма в ЖЭТФ, 88:8 (2008), 597–600; JETP Letters, 88:8 (2008), 520–523
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl258 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v88/i8/p597
|
|