Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2012, том 95, выпуск 4, страницы 230–235 (Mi jetpl2447)  

Эта публикация цитируется в 22 научных статьях (всего в 22 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Ab initio study of 2DEG at the surface of topological insulator Bi$_2$Te$_3$

M. G. Vergniorya, T. V. Men'shikovab, S. V. Eremeevbc, E. V. Chulkovad

a Donostia International Physics Center
b Tomsk State University
c Institute of Strength Physics and Materials Science, Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences
d Departamento de Física de Materiales, Facultad de Quimica, UPV/EHU, San Sebastian, Basque Country
Список литературы:
Аннотация: By means of ab initio DFT-calculation we analyze the mechanism that drives the formation and evolution of the 2D electron gas (2DEG) states at the surface of Bi$_2$Te$_3$ topological insulator (TI). As it has been proved earlier it is due to an expansion of the van der Waals (vdW) spacing produced by intercalation of adsorbates. We will show that the effect of this expansion, in this particular surface, leads to several intriguing phenomena. On one hand we observe a different dispersion of the Dirac cone with respect to the ideal surface and the formation of Parabolic Bands (PB) below the conduction band and $M$-shaped bands in the valence band, the latters have been observed recently in photoemission experiments. On the other hand the expansion of the vdW-gaps changes the symmetry of the orbitals forming the Dirac cone and therefore producing modifications in the local spin texture. The localization of these new 2DEG-states and the relocalization of the Dirac cone will be studied as well.
Поступила в редакцию: 26.01.2012
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2012, Volume 95, Issue 4, Pages 213–218
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364012040108
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: M. G. Vergniory, T. V. Men'shikova, S. V. Eremeev, E. V. Chulkov, “Ab initio study of 2DEG at the surface of topological insulator Bi$_2$Te$_3$”, Письма в ЖЭТФ, 95:4 (2012), 230–235; JETP Letters, 95:4 (2012), 213–218
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{верMenEre12}
\by M.~G.~Vergniory, T.~V.~Men'shikova, S.~V.~Eremeev, E.~V.~Chulkov
\paper Ab initio study of 2DEG at the surface of topological insulator Bi$_2$Te$_3$
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2012
\vol 95
\issue 4
\pages 230--235
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl2447}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=17708889}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2012
\vol 95
\issue 4
\pages 213--218
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364012040108}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000303383100009}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=17983603}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84860205041}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl2447
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v95/i4/p230
  • Эта публикация цитируется в следующих 22 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:334
    PDF полного текста:74
    Список литературы:48
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024