Эффект замедления рекомбинации неравновесных носителей заряда в полупроводнике в магнитном поле

В работе предсказан эффект замедления рекомбинации электронов и дырок в полупроводнике в однородном магнитном поле. На примере германия показано, что в области температур $T=(1{-}10)\,$К, концентраций зарядов $n_e=(10^{10}{-}10^{14})\,$см и значений индукции магнитного поля $B=(3\cdot10^2{-}3\cdot10^4)\,$Гс время рекомбинации может быть увеличено более чем в сто раз по сравнению с его значением в отсутствие магнитного поля. Это означает, что после создания неравновесных носителей заряда путем инжекции при $p{-}n$-переходе или за счет каких-либо источников излучения, а также облучения быстрыми электронами проводимость в полупроводнике сохраняется значительно дольше при наличии магнитного поля. Найденный эффект может быть использован, например, для обнаружения источников излучения.