Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2011, том 94, выпуск 12, страницы 934–938 (Mi jetpl2405)  
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Influence of electron localization on the spin dephasing anisotropy in bias GaAs/AlGaAs coupled quantum wells

A. V. Sekretenko, A. V. Larionov

Institute of Solid State Physics, Russian Academy of Sciences
PDF полного текста (312 kB) Список цитирования (4)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: Electron spin dephasing anisotropy is studied in GaAs/AlGaAs coupled quantum wells by means of a time-resolved Kerr rotation technique. It is found that the spin dephasing rate is strongly dependent on magnetic field and is significantly anisotropic in the quantum well plane. The presented theoretical model describes the experimental results by taking into account both the electron g-factor spreading and the irreversible electron spin relaxation which are caused by the electron localisation. The suggested theoretical description is in a good agreement with experimental data.
Поступила в редакцию: 17.11.2011
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2011, Volume 94, Issue 12, Pages 853–857
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364011240076
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: A. V. Sekretenko, A. V. Larionov, “Influence of electron localization on the spin dephasing anisotropy in bias GaAs/AlGaAs coupled quantum wells”, Письма в ЖЭТФ, 94:12 (2011), 934–938; JETP Letters, 94:12 (2011), 853–857
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SekLar11}
\by A.~V.~Sekretenko, A.~V.~Larionov
\paper Influence of electron localization on the spin dephasing anisotropy
in bias GaAs/AlGaAs coupled quantum wells
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2011
\vol 94
\issue 12
\pages 934--938
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl2405}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=17112413}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2011
\vol 94
\issue 12
\pages 853--857
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364011240076}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000301572100006}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=18035411}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84857328652}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl2405
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v94/i12/p934
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:198
    PDF полного текста:66
    Список литературы:26
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024