|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2011, том 94, выпуск 11, страницы 877–883
(Mi jetpl2394)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 14 научных статьях (всего в 14 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Электрооптическая ловушка для диполярных экситонов в GaAs/AlAs диоде Шоттки с одиночной квантовой ямой
А. В. Горбуновa, В. Б. Тимофеевa, Д. А. Деминb a Институт физики твердого тела РАН
b Московский физико-технический институт
Аннотация:
В GaAs/AlAs диоде Шоттки с одиночной GaAs квантовой
ямой шириной $400$ Å реализована электрооптическая ловушка для
пространственно-непрямых диполярных экситонов. В условиях
приложенного к затвору напряжения смещения ловушка для экситонов
возникала при кольцевом освещении структуры непрерывным либо
импульсным лазером, генерирующим горячие электронно-дырочные пары
в квантовой яме. Барьер для экситонов, накапливаемых внутри
освещаемого кольца, возникал вследствие экранирования приложенного
электрического поля неравновесными носителями непосредственно в
области возбуждения. Экситоны накапливались внутри кольца за счет
амбиполярного дрейфа носителей и диполь-дипольного экситонного
отталкивания в области оптической накачки. Для накапливаемых таким
образом диполярных экситонов в середине кольцевой
электрооптической ловушки наблюдалось существенное сужение линии
люминесценции с ростом плотности возбуждения, указывающее на их
коллективное поведение.
Поступила в редакцию: 31.10.2011
Образец цитирования:
А. В. Горбунов, В. Б. Тимофеев, Д. А. Демин, “Электрооптическая ловушка для диполярных экситонов в GaAs/AlAs диоде Шоттки с одиночной квантовой ямой”, Письма в ЖЭТФ, 94:11 (2011), 877–883; JETP Letters, 94:11 (2011), 800–805
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl2394 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v94/i11/p877
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 273 | PDF полного текста: | 62 | Список литературы: | 42 | Первая страница: | 1 |
|