Магнето-межподзонное туннелирование Зинера в широкой GaAs квантовой яме при больших факторах заполнения

Исследованы зависимости дифференциального сопротивления $r_{xx}$ от плотности постоянного электрического тока $J_{dc}$ в широкой GaAs квантовой яме с двумя заполненными подзонами размерного квантования при температуре $T = 4.2\,$K в магнитных полях $B< 1\,$Тл. При больших факторах заполнения в зависимостях $r_{xx}(J_{dc})$ обнаружен пик, положение которого определяется соотношением $2R_{c}eE_{\rm H}=\hbar\omega_{c}/2$, где $R_{c}$ – циклотронный радиус электронов, $E_{\rm H}$ – напряженность электрического поля Холла, $\omega_{c}$ – циклотронная частота. Полученные данные объясняются зинеровским туннелированием электронов между уровнями Ландау различных подзон.