Туннелирование Зинера между уровнями Ландау в двойной квантовой яме при больших факторах заполнения

Исследовано дифференциальное сопротивление $r_\mathrm{xx}$ в двойной GaAs квантовой яме с двумя заполненными подзонами размерного квантования при температуре 4.2 К в магнитных полях $B<2\text{\,Тл}$. Обнаружено, что в исследуемой электронной системе при больших факторах заполнения под действием постоянного тока $I_\mathrm{dc}$ возникают осцилляции $r_{xx}$, период которых в обратном магнитном поле определяется величиной $I_\mathrm{dc}$. Установлено, что в максимумах этих осцилляций амплитуда магнето-межподзонных осцилляций возрастает, а в минимумах происходит их инверсия. Показано, что обнаруженные осцилляции обусловлены зинеровским туннелированием электронов, возникающим между уровнями Ландау под действием холловского электрического поля. Полученные экспериментальные данные качественно объясняются влиянием межподзонных переходов на компоненту электронной функции распределения, зависящую от $I_\mathrm{dc}$.