|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2004, том 79, выпуск 10, страницы 592–596
(Mi jetpl2300)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 18 научных статьях (всего в 18 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Энергетические распределения фотоэлектронов, эмитированных из $p$-GaN(Cs,O) с эффективным отрицательным электронным сродством
А. А. Пахневичab, В. В. Бакинa, А. В. Язьковb, Г. Э. Шайблерa, С. В. Шевелевa, О. Е. Терещенкоab, А. С. Ярошевичa, А. С. Тереховab a Институт физики полупроводников Сибирского
отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
Аннотация:
Изучены энергетические распределения фотоэлектронов, эмитированных в вакуум из валентной зоны и из локализованных состояний в запрещенной зоне $p$-GaN(Cs,O) с эффективным отрицательным электронным сродством. Показано, что на низкоэнергетическом пороге внешнего фотоэффекта доминирующим механизмом фотоэмиссии является фототермическое возбуждение электронов из локализованных состояний в запрещенной зоне $p$-GaN(Cs,O), лежащих ниже уровня Ферми.
Поступила в редакцию: 05.04.2004
Образец цитирования:
А. А. Пахневич, В. В. Бакин, А. В. Язьков, Г. Э. Шайблер, С. В. Шевелев, О. Е. Терещенко, А. С. Ярошевич, А. С. Терехов, “Энергетические распределения фотоэлектронов, эмитированных из $p$-GaN(Cs,O) с эффективным отрицательным электронным сродством”, Письма в ЖЭТФ, 79:10 (2004), 592–596; JETP Letters, 79:10 (2004), 479–483
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl2300 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v79/i10/p592
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 268 | PDF полного текста: | 74 | Список литературы: | 45 |
|