Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2004, том 79, выпуск 10, страницы 592–596 (Mi jetpl2300)  
Эта публикация цитируется в 18 научных статьях (всего в 18 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Энергетические распределения фотоэлектронов, эмитированных из $p$-GaN(Cs,O) с эффективным отрицательным электронным сродством

А. А. Пахневичab, В. В. Бакинa, А. В. Язьковb, Г. Э. Шайблерa, С. В. Шевелевa, О. Е. Терещенкоab, А. С. Ярошевичa, А. С. Тереховab

a Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия
b Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
PDF полного текста (294 kB) Список цитирования (18)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: Изучены энергетические распределения фотоэлектронов, эмитированных в вакуум из валентной зоны и из локализованных состояний в запрещенной зоне $p$-GaN(Cs,O) с эффективным отрицательным электронным сродством. Показано, что на низкоэнергетическом пороге внешнего фотоэффекта доминирующим механизмом фотоэмиссии является фототермическое возбуждение электронов из локализованных состояний в запрещенной зоне $p$-GaN(Cs,O), лежащих ниже уровня Ферми.
Поступила в редакцию: 05.04.2004
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2004, Volume 79, Issue 10, Pages 479–483
DOI: https://doi.org/10.1134/1.1780556
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 67.57.Lm, 76.60.-k
Образец цитирования: А. А. Пахневич, В. В. Бакин, А. В. Язьков, Г. Э. Шайблер, С. В. Шевелев, О. Е. Терещенко, А. С. Ярошевич, А. С. Терехов, “Энергетические распределения фотоэлектронов, эмитированных из $p$-GaN(Cs,O) с эффективным отрицательным электронным сродством”, Письма в ЖЭТФ, 79:10 (2004), 592–596; JETP Letters, 79:10 (2004), 479–483
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PakBakYaz04}
\by А.~А.~Пахневич, В.~В.~Бакин, А.~В.~Язьков, Г.~Э.~Шайблер, С.~В.~Шевелев, О.~Е.~Терещенко, А.~С.~Ярошевич, А.~С.~Терехов
\paper Энергетические распределения фотоэлектронов, эмитированных из $p$-GaN(Cs,O) с эффективным отрицательным электронным сродством
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2004
\vol 79
\issue 10
\pages 592--596
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl2300}
\adsnasa{https://adsabs.harvard.edu/cgi-bin/bib_query?2004JETPL..79..479P}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2004
\vol 79
\issue 10
\pages 479--483
\crossref{https://doi.org/10.1134/1.1780556}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-20644437291}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl2300
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v79/i10/p592
    • Эта публикация цитируется в следующих 18 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:268
    PDF полного текста:74
    Список литературы:45
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024