Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2004, том 79, выпуск 7, страницы 416–420 (Mi jetpl2269)  

Эта публикация цитируется в 63 научных статьях (всего в 63 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Superconductivity on the localization threshold and magnetic-field-tuned superconductor–insulator transition in TiN films

T. I. Baturinaa, D. R. Islamova, J. Bentnerb, C. Strunkb, M. R. Baklanovc, A. Sattac

a Institute of Semiconductor Physics, 630090 Novosibirsk, Russia
b Institut für experimentelle und angewandte Physik, Universität Regensburg, D-93025 Regensburg, Germany
c Independent Microelectronic Center, B-3001 Leuven, Belgium
Список литературы:
Аннотация: Temperature- and magnetic-field dependent measurements of the resistance of ultrathin superconducting TiN films are presented. The analysis of the temperature dependence of the zero field resistance indicates an underlying insulating behavior, when the contribution of Aslamasov–Larkin fluctuations is taken into account. This demonstrates the possibility of coexistence of the superconducting and insulating phases and of a direct transition from the one to the other. The scaling behavior of magnetic field data is in accordance with a superconductor–insulator transition (SIT) driven by quantum phase fluctuations in two-dimensional superconductor. The temperature dependence of the isomagnetic resistance data on the high-field side of the SIT has been analyzed and the presence of an insulating phase is confirmed. A transition from the insulating to a metallic phase is found at high magnetic fields, where the zero-temperature asymptotic value of the resistance being equal to $h/e^2$.
Поступила в редакцию: 11.09.2003
Исправленный вариант: 25.02.2004
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2004, Volume 79, Issue 7, Pages 337–341
DOI: https://doi.org/10.1134/1.1765178
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 71.30.$+$h, 74.25.-q, 74.40.$+$k
Язык публикации: английский
Образец цитирования: T. I. Baturina, D. R. Islamov, J. Bentner, C. Strunk, M. R. Baklanov, A. Satta, “Superconductivity on the localization threshold and magnetic-field-tuned superconductor–insulator transition in TiN films”, Письма в ЖЭТФ, 79:7 (2004), 416–420; JETP Letters, 79:7 (2004), 337–341
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BatIslBen04}
\by T.~I.~Baturina, D.~R.~Islamov, J.~Bentner, C.~Strunk, M.~R.~Baklanov, A.~Satta
\paper Superconductivity on the localization threshold and magnetic-field-tuned superconductor--insulator transition in TiN films
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2004
\vol 79
\issue 7
\pages 416--420
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl2269}
\adsnasa{https://adsabs.harvard.edu/cgi-bin/bib_query?2004JETPL..79..337B}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2004
\vol 79
\issue 7
\pages 337--341
\crossref{https://doi.org/10.1134/1.1765178}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-18144426864}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl2269
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v79/i7/p416
  • Эта публикация цитируется в следующих 63 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:370
    PDF полного текста:164
    Список литературы:117
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024