Диссипация потока риплонов на поверхности сверхтекучего $^4$He

В рамках квантовой гидродинамики поверхности сверхтекучего гелия получена скорость релаксации импульса риплонного газа при $T\lesssim0.25$ К за счет рождения фонона при поглощении двух риплонов, за счет неупругого рассеяния фонона с поглощением риплона, а также, в случае пленок гелия, за счет не рассматривавшегося ранее механизма одночастичного рассеяния риплонов на неоднородностях уровня поверхности, вызванных шероховатостью подложки. При рассматриваемых температурах вклад неупругого рассеяния фононов пренебрежимо мал. В случае пленки при $T\leq0.15$ преобладает одночастичное рассеяние, приводящее к температурной зависимости конвективной теплопроводности риплонов вида $K\propto T^{5/3}$. При более высоких температурах определяющим является рождение фонона с поглощением двух риплонов, что дает $K\propto T^{- 3}$. Полученные результаты находятся в количественном согласии с известными экспериментальными данными.