Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2011, том 94, выпуск 4, страницы 357–361 (Mi jetpl2005)  
Эта публикация цитируется в 23 научных статьях (всего в 23 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Normal state resistivity of Ba$_{1-x}$K$_x$Fe$_2$As$_2$: evidence for multiband strong-coupling behavior

A. A. Golubova, O. V. Dolgovb, A. V. Borisb, A. Charnukhab, D. L. Sunb, C. T. Linb, A. F. Shevchunc, A. V. Korobenkocd, M. R. Trunincd, V. N. Zverevdc

a University of Twente
b Max Planck Institute for Solid State Research
c Institute of Solid State Physics, Russian Academy of Sciences
d Moscow Institute of Physics and Technology
PDF полного текста (200 kB) Список цитирования (23)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: We present theoretical analysis of the normal state resistivity in multiband superconductors in the framework of Eliashberg theory. The results are compared with measurements of the temperature dependence of normal state resistivity of high-purity Ba$_{0.68}$K$_{0.32}$Fe$_{2}$As$_{2}$ single crystals with the highest reported transition temperature $T_c = 38.5$ K. The experimental data demonstrate strong deviations from the Bloch–Grüneisen behavior, namely the tendency to saturation of the resistivity at high temperatures. The observed behavior of the resistivity is explained within the two band scenario when the first band is strongly coupled and relatively clean, while the second band is weakly coupled and is characterized by much stronger impurity scattering.
Поступила в редакцию: 25.04.2011
Исправленный вариант: 07.07.2011
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2011, Volume 94, Issue 4, Pages 333–337
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364011160041
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: A. A. Golubov, O. V. Dolgov, A. V. Boris, A. Charnukha, D. L. Sun, C. T. Lin, A. F. Shevchun, A. V. Korobenko, M. R. Trunin, V. N. Zverev, “Normal state resistivity of Ba$_{1-x}$K$_x$Fe$_2$As$_2$: evidence for multiband strong-coupling behavior”, Письма в ЖЭТФ, 94:4 (2011), 357–361; JETP Letters, 94:4 (2011), 333–337
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GolDolBor11}
\by A.~A.~Golubov, O.~V.~Dolgov, A.~V.~Boris, A.~Charnukha, D.~L.~Sun, C.~T.~Lin, A.~F.~Shevchun, A.~V.~Korobenko, M.~R.~Trunin, V.~N.~Zverev
\paper Normal state resistivity of
Ba$_{1-x}$K$_x$Fe$_2$As$_2$: evidence for multiband strong-coupling behavior
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2011
\vol 94
\issue 4
\pages 357--361
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl2005}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2011
\vol 94
\issue 4
\pages 333--337
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364011160041}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000297157600018}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-80355123997}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl2005
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v94/i4/p357
    • Эта публикация цитируется в следующих 23 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:225
    PDF полного текста:62
    Список литературы:36
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024