Низкопороговые абсолютные параметрические распадные неустойчивости в экспериментах по электронному циклотронному нагреву в токамаках

В работе анализируются экспериментальные условия, приводящие к возбуждению абсолютных параметрических распадных неустойчивостей при электронном циклотронном нагреве плазмы на второй гармонике резонанса в токамаках. Показано, что в случае немонотонного радиального профиля плотности плазмы при прохождении греющего пучка вблизи от экваториальной плоскости установки может происходить параметрическое возбуждение резонансов ионных Бернштейновских волн, сопровождающееся генерацией рассеянного назад СВЧ-излучения. Порог раскачиваемой при этом абсолютной неустойчивости определяется диссипацией ионной берштейновской волны и может составлять значения, превышаемые в современных экспериментах по электронному циклотронному нагреву плазмы в токамаках.