|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2011, том 94, выпуск 3, страницы 220–223
(Mi jetpl1978)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Изучение атомной и электронной структуры аморфного нитрида
кремния и дефектов в нем
С. С. Некрашевич Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация:
С помощью молекулярной динамики Кар-Паринелло методом охлаждения из расплава
смоделирована структура аморфного нитрида кремния. Выявлено несколько типов
координации дефектов Si–Si. Обнаружено, что помимо “обычных” Si–Si-связей,
в аморфной структуре присутствует значительное количество двойных Si–Si
связей (Si–Si–Si дефектов).
Поступила в редакцию: 08.07.2010 Исправленный вариант: 06.06.2011
Образец цитирования:
С. С. Некрашевич, “Изучение атомной и электронной структуры аморфного нитрида
кремния и дефектов в нем”, Письма в ЖЭТФ, 94:3 (2011), 220–223; JETP Letters, 94:3 (2011), 202–205
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl1978 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v94/i3/p220
|
|