Исследование краевых магнитоплазменных возбуждений в двумерных электронных системах с различным профилем краевого обеднения

С помощью копланарной и полосковой методик проведены измерения резонансного микроволнового поглощения системой двумерных электронов. Исследовано влияние края электронной системы на дисперсию краевых магнитоплазмонов. Установлено, что ширину края двумерной системы можно варьировать в широких пределах (почти на два порядка), изменяя глубину, на которую осуществляется поверхностное травление кристалла. Показано, что при травлении через квантовую яму ширина края электронной системы оказывается около $0.2$ мкм, в то время как в случае неглубокого травления (например, до слоя доноров) край становится плавным и его ширина может быть увеличена до $12$ мкм. Исследовано влияние логарифмического множителя, зависящего от ширины края электронной системы, на дисперсию краевых магнитоплазменных возбуждений.