Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2011, том 94, выпуск 2, страницы 110–115 (Mi jetpl1960)  
Эта публикация цитируется в 39 научных статьях (всего в 39 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

О происхождении состояний двумерного электронного газа на поверхности топологических изоляторов

Т. В. Меньщиковаa, С. В. Еремеевab, Е. В. Чулковcd

a Томский государственный университет
b Институт физики прочности и материаловедения СО РАН
c CFM, Centro Mixto CSIC-UPV/EHU, Departamento de Fisica de Materiales, UPV/EHU, Apdo. 1072, 20080 San Sebasti'an, Spain
d Donostia International Physics Center (DIPC)
PDF полного текста (437 kB) Список цитирования (39)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: Представлены результаты первопринципных расчетов электронной структуры объема и поверхности (0001) узкозонных полупроводников Bi$_2$Se$_3$, Sb$_2$Te$_3$, Sb$_2$STe$_2$ и Sb$_2$SeTe$_2$. Показано, что так же, как известные ранее Bi$_2$Se$_3$ и Sb$_2$Te$_3$, тройные соединения Sb$_2$STe$_2$ и Sb$_2$SeTe$_2$ являются трехмерными топологическими изоляторами. Проведен анализ влияния уширения подповерхностного ван-дер-ваальсовского промежутка на электронную структуру поверхности рассматриваемых соединений. Показано, что это уширение приводит к появлению новых (тривиальных) поверхностных состояний: параболического состояния и состояния М-образной формы в зоне проводимости и валентной зоне соответственно. Полученные результаты позволяют объяснить эффекты, обнаруженные в недавних фотоэмиссионных экспериментах, и выяснить причину происхождения новых состояний, возникающих благодаря адсорбции атомов на поверхности слоистых топологических изоляторов.
Поступила в редакцию: 18.05.2011
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2011, Volume 94, Issue 2, Pages 106–111
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364011140104
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Т. В. Меньщикова, С. В. Еремеев, Е. В. Чулков, “О происхождении состояний двумерного электронного газа на поверхности топологических изоляторов”, Письма в ЖЭТФ, 94:2 (2011), 110–115; JETP Letters, 94:2 (2011), 106–111
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MenEreЧул11}
\by Т.~В.~Меньщикова, С.~В.~Еремеев, Е.~В.~Чулков
\paper О происхождении состояний двумерного электронного
газа на поверхности топологических изоляторов
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2011
\vol 94
\issue 2
\pages 110--115
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl1960}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2011
\vol 94
\issue 2
\pages 106--111
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364011140104}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000294960800004}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-80052885210}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl1960
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v94/i2/p110
    • Эта публикация цитируется в следующих 39 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024