Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2011, том 94, выпуск 1, страницы 58–62 (Mi jetpl1951)  

Эта публикация цитируется в 14 научных статьях (всего в 14 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Metallic glass electronic structure peculiarities revealed by UHV STM/STS

A. I. Oreshkina, N. S. Maslovaa, V. N. Mantsevicha, S. I. Oreshkinab, S. V. Savinova, V. I. Panova, D. V. Louzguine-Luzginc

a M. V. Lomonosov Moscow State University, Faculty of Physics
b P. K. Sternberg Astronomical Institute, M. V. Lomonosov Moscow State University
c WPI-AIMR, Tohoku University 2-1-1 Katahira, Aoba-ku
Список литературы:
Аннотация: We present the results of Ultra high vacuum scanning tunneling microscopy/spectroscopy investigation of metallic glass surface. The topography and electronic structure of Ni$_{63.5}$Nb$_{36.5}$ have been studied. A great number of clusters with size about $5$$10$ nm have been found on constant current STM images. The tunneling spectra of normalized tunneling conductivity revealed the energy pseudogap in the vicinity of Fermi energy. For energy values above $0.1$ eV the normalized tunneling conductivity changes linearly with increasing of tunneling bias. The obtained results can be understood within suggested theoretical model based on the interplay of elastic electron scattering on random defects and weak intra-cluster Coulomb interaction. The effects of the finite edges of electron spectrum of each cluster have to be taken into account to explain the experimental data. The tunneling conductivity behavior and peculiarities in current images of individual clusters can be also qualitatively analysed in the framework of suggested model.
Поступила в редакцию: 10.05.2011
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2011, Volume 94, Issue 1, Pages 58–62
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364011130157
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: A. I. Oreshkin, N. S. Maslova, V. N. Mantsevich, S. I. Oreshkin, S. V. Savinov, V. I. Panov, D. V. Louzguine-Luzgin, “Metallic glass electronic structure peculiarities revealed by UHV STM/STS”, Письма в ЖЭТФ, 94:1 (2011), 58–62; JETP Letters, 94:1 (2011), 58–62
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{OreMasMan11}
\by A.~I.~Oreshkin, N.~S.~Maslova, V.~N.~Mantsevich, S.~I.~Oreshkin, S.~V.~Savinov, V.~I.~Panov, D.~V.~Louzguine-Luzgin
\paper Metallic glass electronic structure peculiarities revealed by UHV STM/STS
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2011
\vol 94
\issue 1
\pages 58--62
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl1951}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2011
\vol 94
\issue 1
\pages 58--62
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364011130157}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000294758400012}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-80052399138}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl1951
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v94/i1/p58
  • Эта публикация цитируется в следующих 14 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:217
    PDF полного текста:56
    Список литературы:51
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024