Примесная фотопроводимость в напряженных гетероструктурах $p$-InGaAs/GaAsP

Наблюдался спектр примесной фотопроводимости в напряженных квантовых ямах твердого раствора $p$-InGaAs/GaAs при $T= 4.2$ К. Помимо широкой полосы фотопроводимости, связанной с переходами с основного состояния акцептора в континуум 1-й подзоны размерного квантования, в спектре обнаружены пик, обусловленный переходами из основного в возбужденное локализованное состояние акцептора, полоса, соответствующая переходам в резонансные состояния, связанные со второй подзоной размерного квантования тяжелых дырок, и узкий пик фотопроводимости в спектральной области, соответствующей энергии оптического фонона (резонанс Фано).