Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2011, том 93, выпуск 10, страницы 620–624 (Mi jetpl1902)  

Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

ОПТИКА, ЛАЗЕРНАЯ ФИЗИКА

Расщепление резонансных уровней двухбарьерных структур в сильном высокочастотном электрическом поле

А. Б. Пашковский

Государственное научно-производственное предприятие "Исток"
Список литературы:
Аннотация: Для несимметричных двухбарьерных резонансно-туннельных структур с тонкими высокими барьерами исследованы зависимости ширины и формы резонансных уровней от амплитуды резонансного высокочастотного поля и особенности электронного транспорта в условиях баллистического прохождения электронов вблизи резонансных уровней. Обнаружено, что в зависимости от амплитуды поля резонансный уровень может вначале заметно расширяться, а затем расщепляться на два абсолютно прозрачных уровня. Найдены условия, при которых и нерезонансные каналы рассеяния вблизи уровня могут становиться абсолютно прозрачными.
Поступила в редакцию: 21.03.2011
Исправленный вариант: 21.04.2011
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2011, Volume 93, Issue 10, Pages 559–563
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364011100109
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Б. Пашковский, “Расщепление резонансных уровней двухбарьерных структур в сильном высокочастотном электрическом поле”, Письма в ЖЭТФ, 93:10 (2011), 620–624; JETP Letters, 93:10 (2011), 559–563
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Pas11}
\by А.~Б.~Пашковский
\paper Расщепление резонансных уровней двухбарьерных структур в сильном высокочастотном электрическом поле
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2011
\vol 93
\issue 10
\pages 620--624
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl1902}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2011
\vol 93
\issue 10
\pages 559--563
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364011100109}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000293239600002}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-79960779416}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl1902
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v93/i10/p620
  • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:339
    PDF полного текста:79
    Список литературы:64
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024