|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2011, том 93, выпуск 10, страницы 620–624
(Mi jetpl1902)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)
ОПТИКА, ЛАЗЕРНАЯ ФИЗИКА
Расщепление резонансных уровней двухбарьерных структур в сильном высокочастотном электрическом поле
А. Б. Пашковский Государственное научно-производственное предприятие "Исток"
Аннотация:
Для несимметричных двухбарьерных резонансно-туннельных структур с тонкими высокими барьерами исследованы зависимости ширины и формы резонансных уровней от амплитуды резонансного высокочастотного поля и особенности электронного транспорта в условиях баллистического прохождения электронов вблизи резонансных уровней. Обнаружено, что в зависимости от амплитуды поля резонансный уровень может вначале заметно расширяться, а затем расщепляться на два абсолютно прозрачных уровня. Найдены условия, при которых и нерезонансные каналы рассеяния вблизи уровня могут становиться абсолютно прозрачными.
Поступила в редакцию: 21.03.2011 Исправленный вариант: 21.04.2011
Образец цитирования:
А. Б. Пашковский, “Расщепление резонансных уровней двухбарьерных структур в сильном высокочастотном электрическом поле”, Письма в ЖЭТФ, 93:10 (2011), 620–624; JETP Letters, 93:10 (2011), 559–563
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl1902 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v93/i10/p620
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 339 | PDF полного текста: | 79 | Список литературы: | 64 |
|