|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2011, том 93, выпуск 9, страницы 579–583
(Mi jetpl1894)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Electronic structure of Ge(111)-(2$\times$1) surface in the presence of
doping atoms. Ab initio analysis of STM data
S. V. Savinova, S. I. Oreshkinb, N. S. Maslovaa a M. V. Lomonosov Moscow State University, Faculty of Physics
b P. K. Sternberg Astronomical Institute, M. V. Lomonosov Moscow State University
Аннотация:
We present the result of first principles modeling of the Ge(111)-($2{\times}1$) surface electronic structure in the presence of donor doping atom at certain position in the surface bi-layer of ($2{\times}1$) reconstruction. We briefly compare these results with the data of experimental low temperature STM investigations. Ab initio calculations demonstrate that doping atom strongly disturbs local electronic structure. The separate state, most probably split off conduction band, appears in the bandgap. Surface LDOS reveals spatial oscillations in vicinity of foreign atom. We also show that the spatial extent of non-negligible inter-atomic interaction between neighboring donor atoms is not less then 70 Å.
Поступила в редакцию: 15.02.2011 Исправленный вариант: 28.03.2011
Образец цитирования:
S. V. Savinov, S. I. Oreshkin, N. S. Maslova, “Electronic structure of Ge(111)-(2$\times$1) surface in the presence of
doping atoms. Ab initio analysis of STM data”, Письма в ЖЭТФ, 93:9 (2011), 579–583; JETP Letters, 93:9 (2011), 521–525
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl1894 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v93/i9/p579
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 194 | PDF полного текста: | 63 | Список литературы: | 65 |
|