Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2011, том 93, выпуск 8, страницы 499–504 (Mi jetpl1883)  
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Single-particle relaxation time of the two-dimensional electron gas in Si/SiGe: many-body effects

A. Goldab

a Université Paul Sabatier, Toulouse
b Centre d'Elaboration de Matériaux et d'Etudes Structurales, Toulouse
PDF полного текста (216 kB)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: The single-particle relaxation time of the two-dimensional electron gas in SiGe/Si/SiGe quantum wells is calculated. Many-body effects beyond the random-phase approximation become important at low electron density. For charged impurity scattering (remote doped) we analyze the importance of these many-body effects as function of the electron density and the spacer width. Induced by many-body effects a strong reduction of the single-particle relaxation time at low electron density is predicted. We describe the relation with the transport scattering time, we comment on multiple-scattering effects and we discuss the determination of many-body effects in existing samples.
Поступила в редакцию: 15.02.2011
Исправленный вариант: 15.03.2011
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2011, Volume 93, Issue 8, Pages 453–458
DOI: https://doi.org/10.1134/S002136401108008X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: A. Gold, “Single-particle relaxation time of the two-dimensional electron gas in Si/SiGe: many-body effects”, Письма в ЖЭТФ, 93:8 (2011), 499–504; JETP Letters, 93:8 (2011), 453–458
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Gol11}
\by A.~Gold
\paper Single-particle relaxation time of the two-dimensional electron gas in Si/SiGe: many-body effects
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2011
\vol 93
\issue 8
\pages 499--504
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl1883}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2011
\vol 93
\issue 8
\pages 453--458
\crossref{https://doi.org/10.1134/S002136401108008X}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000293237600008}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-79959274482}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl1883
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v93/i8/p499
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:173
    PDF полного текста:58
    Список литературы:45
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024