Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2011, том 93, выпуск 7, страницы 437–441 (Mi jetpl1871)  
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Оптическое детектирование электрического поля в $n{-}i{-}n$ GaAs/AlGaAs-гетероструктуре с двойными квантовыми ямами

В. Я. Алешкинa, Л. В. Гавриленкоa, Д. М. Гапоноваa, З. Ф. Красильникa, Д. И. Крыжковa, Д. И. Курицынa, С. М. Сергеевa, В. Г. Лысенкоb, C. B. Sorensenc

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН
c Nano-Science Center, Niels Bohr Institute, University of Copenhagen
PDF полного текста (479 kB)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: Оптическими методами исследовались процессы, возникающие при приложении постоянного поперечного электрического поля к $n{-}i{-}n$-гетероструктуре GaAs/AlGaAs с одиночными квантовыми ямами и асимметричными двойными туннельно-связанными квантовыми ямами. Различие в энергиях экситонных переходов для квантовых ям разной ширины позволило соотнести наблюдавшиеся пики фотолюминесценции с каждой конкретной парой ям или одиночной квантовой ямой. По величине штарковского сдвига и расщепления экситонных линий в широком диапазоне внешнего электрического напряжения было определено локальное для каждой квантовой ямы значение электрического поля. Предложена качественная модель, объясняющая возникновение немонотонного распределения электрического поля по глубине гетероструктуры.
Поступила в редакцию: 02.03.2011
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2011, Volume 93, Issue 7, Pages 394–398
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364011070022
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Я. Алешкин, Л. В. Гавриленко, Д. М. Гапонова, З. Ф. Красильник, Д. И. Крыжков, Д. И. Курицын, С. М. Сергеев, В. Г. Лысенко, C. B. Sorensen, “Оптическое детектирование электрического поля в $n{-}i{-}n$ GaAs/AlGaAs-гетероструктуре с двойными квантовыми ямами”, Письма в ЖЭТФ, 93:7 (2011), 437–441; JETP Letters, 93:7 (2011), 394–398
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AleGavGap11}
\by В.~Я.~Алешкин, Л.~В.~Гавриленко, Д.~М.~Гапонова, З.~Ф.~Красильник, Д.~И.~Крыжков, Д.~И.~Курицын, С.~М.~Сергеев, В.~Г.~Лысенко, C.~B.~Sorensen
\paper Оптическое детектирование электрического поля в $n{-}i{-}n$ GaAs/AlGaAs-гетероструктуре с двойными квантовыми ямами
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2011
\vol 93
\issue 7
\pages 437--441
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl1871}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2011
\vol 93
\issue 7
\pages 394--398
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364011070022}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000291361400007}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-79958080330}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl1871
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v93/i7/p437
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:243
    PDF полного текста:59
    Список литературы:56
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024