Управление спиновой динамикой электронов в широкой GaAs квантовой яме с помощью латерально локализующего потенциала

Исследована спиновая динамика электронов, локализованных в плоскости широкой GaAs квантовой ямы с помощью специального мозаичного электрода, нанесенного на поверхность образца. Одновременно проводились сравнительные измерения на полупрозрачном электроде, чтобы различать изменения в спиновой динамике электронов не только за счет изгиба зон, но и вследствие локализации в плоскости, управляемой с помощью внешнего приложенного смещения. Обнаружен сильный рост времени жизни спина электронов в ловушках при увеличении приложенного смещения. Полученные значения $g$-фактора электрона в плоскости квантовой ямы и зависимость времени жизни электронного спина от магнитного поля свидетельствуют о возникновении сильного трехмерного конфайнмента в центре отверстия мозаичного электрода. Изученная анизотропия спиновой релаксации электронов обусловлена анизотропией локализующего потенциала.