|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2011, том 93, выпуск 4, страницы 217–220
(Mi jetpl1835)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Cotunneling effects in GaAs vertical double quantum dots
A. O. Badrutdinova, S. M. Huangb, K. Konob, K. Onob, D. A. Tayurskiia a Institute of Physics, Kazan (Volga region) Federal University
b Low Temperature Physics Laboratory, Advanced Science Institute, RIKEN
Аннотация:
We report observation of Coulomb blockade lifting in GaAs vertical double quantum dot caused by cotunneling processes. One characteristic feature of investigated sample is relatively low potential barriers between dots and reservoirs, which makes cotunneling processes favorable. The measurement of current through the sample under variable bias and gate voltages was carried out at temperature of dilution refrigerator 10 mK. Several distinct features, specific to double dot, were observed and appropriate explanation for them was given.
Поступила в редакцию: 19.11.2010 Исправленный вариант: 11.01.2011
Образец цитирования:
A. O. Badrutdinov, S. M. Huang, K. Kono, K. Ono, D. A. Tayurskii, “Cotunneling effects in GaAs vertical double quantum dots”, Письма в ЖЭТФ, 93:4 (2011), 217–220; JETP Letters, 93:4 (2011), 199–202
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl1835 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v93/i4/p217
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 189 | PDF полного текста: | 55 | Список литературы: | 35 |
|