Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2011, том 93, выпуск 4, страницы 217–220 (Mi jetpl1835)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Cotunneling effects in GaAs vertical double quantum dots

A. O. Badrutdinova, S. M. Huangb, K. Konob, K. Onob, D. A. Tayurskiia

a Institute of Physics, Kazan (Volga region) Federal University
b Low Temperature Physics Laboratory, Advanced Science Institute, RIKEN
PDF полного текста (583 kB) Список цитирования (1)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: We report observation of Coulomb blockade lifting in GaAs vertical double quantum dot caused by cotunneling processes. One characteristic feature of investigated sample is relatively low potential barriers between dots and reservoirs, which makes cotunneling processes favorable. The measurement of current through the sample under variable bias and gate voltages was carried out at temperature of dilution refrigerator 10 mK. Several distinct features, specific to double dot, were observed and appropriate explanation for them was given.
Поступила в редакцию: 19.11.2010
Исправленный вариант: 11.01.2011
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2011, Volume 93, Issue 4, Pages 199–202
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364011040059
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: A. O. Badrutdinov, S. M. Huang, K. Kono, K. Ono, D. A. Tayurskii, “Cotunneling effects in GaAs vertical double quantum dots”, Письма в ЖЭТФ, 93:4 (2011), 217–220; JETP Letters, 93:4 (2011), 199–202
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BadHuaKon11}
\by A.~O.~Badrutdinov, S.~M.~Huang, K.~Kono, K.~Ono, D.~A.~Tayurskii
\paper Cotunneling effects in GaAs vertical double quantum dots
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2011
\vol 93
\issue 4
\pages 217--220
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl1835}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2011
\vol 93
\issue 4
\pages 199--202
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364011040059}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000290279500004}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-79955620840}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl1835
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v93/i4/p217
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:189
    PDF полного текста:55
    Список литературы:35
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024