Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2011, том 93, выпуск 2, страницы 60–62 (Mi jetpl1805)  

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Поперечное напряжение в отсутствие магнитного поля в квазиодномерном проводнике с волной зарядовой плотности NbSe$_3$

А. А. Синченкоa, П. Монсоb, Т. Крозb

a Национальный исследовательский ядерный университет (МИФИ), 115409 Москва, Россия
b Institut NEEL, CNRS and Université Joseph Fourier, BP 166, 38042 Grenoble, France
Список литературы:
Аннотация: Обнаружено появление перпендикулярной транспортному току компоненты электрического поля в области фазовых переходов в пайерлсовское состояние в монокристаллах NbSe$_3$. Показано, что возникающее поперечное напряжение $V_{xy}\propto dR_{xx}/dT$. Эффект объясняется перераспределением тока, вызванным пространственной неоднородностью критической температуры пайерлсовского перехода.
Поступила в редакцию: 22.11.2010
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2011, Volume 93, Issue 2, Pages 56–58
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364011020135
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Синченко, П. Монсо, Т. Кроз, “Поперечное напряжение в отсутствие магнитного поля в квазиодномерном проводнике с волной зарядовой плотности NbSe$_3$”, Письма в ЖЭТФ, 93:2 (2011), 60–62; JETP Letters, 93:2 (2011), 56–58
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SinMonCro11}
\by А.~А.~Синченко, П.~Монсо, Т.~Кроз
\paper Поперечное напряжение в отсутствие магнитного поля в~квазиодномерном проводнике с~волной зарядовой плотности~NbSe$_3$
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2011
\vol 93
\issue 2
\pages 60--62
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl1805}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2011
\vol 93
\issue 2
\pages 56--58
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364011020135}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000288864500003}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-79953138147}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl1805
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v93/i2/p60
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:237
    PDF полного текста:63
    Список литературы:52
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024