Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2011, том 93, выпуск 1, страницы 13–17 (Mi jetpl1796)  
Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Low-temperature conductance of the weak junction in InAs nanowire in the field of AFM scanning gate

A. A. Zhukova, Ch. Volkb, A. Windenbc, H. Hardtdegenbc, Th. Schäpersb

a Institute of Solid State Physics RAS, 142432 Chernogolovka, Russia
b Institute of Bio- and Nanosystems (IBN-1): Semiconductor Nanoelectronics, Juelich, Germany
c JARA-Fundamentals of Future Information Technology, Research Centre Jülich, 52425 Jülich Germany
PDF полного текста (1189 kB) Список цитирования (11)
Список литературы:
PDF
HTML
Аннотация: We investigate the conductance of the InAs nanowire in the presence of electrical potential created by AFM scanning gate. At helium temperature Coulomb blockade diamonds pattern give the same result for quantum dot sizes ratio as reveals scanning gate imaging. The essential influence of local electrical field direction on the tunneling rate through the weak junction in InAs wire is observed. To explain this behavior the redistribution of the electrons among conductive channels in the wire must be taken into account.
Поступила в редакцию: 01.11.2010
Исправленный вариант: 19.11.2010
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2011, Volume 93, Issue 1, Pages 10–14
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364011010103
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: A. A. Zhukov, Ch. Volk, A. Winden, H. Hardtdegen, Th. Schäpers, “Low-temperature conductance of the weak junction in InAs nanowire in the field of AFM scanning gate”, Письма в ЖЭТФ, 93:1 (2011), 13–17; JETP Letters, 93:1 (2011), 10–14
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZhuVolWin11}
\by A.~A.~Zhukov, Ch.~Volk, A.~Winden, H.~Hardtdegen, Th.~Sch\"apers
\paper Low-temperature conductance of the weak junction in InAs nanowire in the field of AFM scanning gate
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2011
\vol 93
\issue 1
\pages 13--17
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl1796}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2011
\vol 93
\issue 1
\pages 10--14
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364011010103}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000288711700003}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-79953007779}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl1796
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v93/i1/p13
    • Эта публикация цитируется в следующих 11 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:314
    PDF полного текста:71
    Список литературы:81
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024