|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2005, том 81, выпуск 1, страницы 22–26
(Mi jetpl1789)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 50 научных статьях (всего в 50 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Специфика магнитоэлектрических эффектов в новом сегнетомагнетике GdMnO$_3$
А. М. Кадомцеваa, Ю. Ф. Поповa, Г. П. Воробьевa, К. И. Камиловa, А. П. Пятаковa, В. Ю. Ивановb, А. А. Мухинb, А. М. Балбашовc a Московский государственный университет
им. М. В. Ломоносова, 119992 Москва, Россия
b Институт общей
физики РАН, 11792 Москва, Россия
c Московский энергетический
институт, 105835 Москва, Россия
Аннотация:
Проведено комплексное исследование магнитных, электрических, магнитоэлектрических и магнитоупругих свойств монокристаллов GdMnO$_3$ в области низких температур в сильных импульсных магнитных полях до 200 кЭ. Обнаружена аномалия диэлектрической постоянной вдоль оси $a$ кристалла при 20 К, где наблюдается переход из несоразмерной модулированной в скошенную антиферромагнитную фазу, а также индуцированная магнитным полем $H\| b$ ($H_{\rm cr}\sim 40\,$кЭ) электрическая поляризация вдоль осей $a$ и $b$ кристалла. При охлаждении кристалла в электрическом поле индуцированная магнитным полем электрическая поляризация изменяла знак в зависимости от знака электрического поля. Возникновение электрической поляризации сопровождалось анизотропной магнитострикцией, что указывает на корреляцию магнитоэлектрических и магнитоупругих свойств. На основании полученных результатов установлено, что GdMnO$_3$ принадлежит к новому семейству сегнетомагнетиков со структурой перовскита.
Поступила в редакцию: 18.11.2004 Исправленный вариант: 09.12.2004
Образец цитирования:
А. М. Кадомцева, Ю. Ф. Попов, Г. П. Воробьев, К. И. Камилов, А. П. Пятаков, В. Ю. Иванов, А. А. Мухин, А. М. Балбашов, “Специфика магнитоэлектрических эффектов в новом сегнетомагнетике GdMnO$_3$”, Письма в ЖЭТФ, 81:1 (2005), 22–26; JETP Letters, 81:1 (2005), 19–23
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl1789 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v81/i1/p22
|
|